Disorder and cavity evolution in single-crystalline Ge during implantation of Sb ions monitored in-situ by spectroscopic ellipsometry

Lohner Tivadar; Németh Attila; Zolnai Zsolt; Kalas Benjamin; Romanenko Alekszej; Nguyen Quoc Khánh; Szilágyi Edit; Kótai Endre; Agócs Emil; Tóth Zsolt; Budai Judit; Petrik Péter; Fried Miklós; Bársony István; Gyulai József: Disorder and cavity evolution in single-crystalline Ge during implantation of Sb ions monitored in-situ by spectroscopic ellipsometry.
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 152. ISSN 1369-8001 (2022)

[thumbnail of 2022LohnerMatSciSemicondProc152.pdf]
Előnézet
Szöveg
2022LohnerMatSciSemicondProc152.pdf - Megjelent verzió

Download (4MB) | Előnézet
Szerző azonosítók:
Lohner Tivadar MTMT
Németh Attila MTMT
Zolnai Zsolt MTMT
Kalas Benjamin MTMT
Romanenko Alekszej MTMT
Nguyen Quoc Khánh MTMT
Szilágyi Edit MTMT
Kótai Endre MTMT
Agócs Emil MTMT
Tóth Zsolt MTMT
Budai Judit MTMT
Petrik Péter MTMT
Fried Miklós MTMT
Bársony István MTMT
Gyulai József MTMT
Mű típusa: Folyóiratcikk
Folyóirat/kiadvány címe: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
Publikáció dátuma: 2022
Kötet: 152
Terjedelem: 11
Közlemény azonosító: 107062
ISSN: 1369-8001
Kar/Egység: ELI-HU
Szent-Györgyi Albert Orvostudományi Kar
Természettudományi és Informatikai Kar
Intézmény: Szegedi Tudományegyetem (2000-)
Nyelv: angol
MTMT rekordazonosító: 33077841
DOI azonosító: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107062
Dátum: 2023. Jan. 17. 09:10
Utolsó módosítás: 2023. Jan. 17. 09:10
URI: http://publicatio.bibl.u-szeged.hu/id/eprint/26205
Hivatkozások száma a Web of Science® -ben: 2 Idéző cikkek megtekintése a Web of Science® felületén

Actions (login required)

Tétel nézet Tétel nézet

Letöltések

Letöltések havi bontásban az elmúlt egy évben

Loading...