Disorder and cavity evolution in single-crystalline Ge during implantation of Sb ions monitored in-situ by spectroscopic ellipsometry

Lohner Tivadar; Németh Attila; Zolnai Zsolt; Kalas Benjamin; Romanenko Alekszej; Nguyen Quoc Khánh; Szilágyi Edit; Kótai Endre; Agócs Emil; Tóth Zsolt; Budai Judit; Petrik Péter; Fried Miklós; Bársony István; Gyulai József: Disorder and cavity evolution in single-crystalline Ge during implantation of Sb ions monitored in-situ by spectroscopic ellipsometry.
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 152. ISSN 1369-8001 (2022)

[thumbnail of 2022LohnerMatSciSemicondProc152.pdf]
Előnézet
Szöveg
2022LohnerMatSciSemicondProc152.pdf - Megjelent verzió

Download (4MB) | Előnézet
Mű típusa: Folyóiratcikk
Folyóirat/kiadvány címe: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
Publikáció dátuma: 2022
Kötet: 152
Terjedelem: 11
Közlemény azonosító: 107062
ISSN: 1369-8001
Kar/Egység: ELI-HU
Szent-Györgyi Albert Orvostudományi Kar
Természettudományi és Informatikai Kar
Intézmény: Szegedi Tudományegyetem
Nyelv: angol
MTMT rekordazonosító: 33077841
DOI azonosító: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107062
Dátum: 2023. Jan. 17. 09:10
Utolsó módosítás: 2023. Jan. 17. 09:10
URI: http://publicatio.bibl.u-szeged.hu/id/eprint/26205
Hivatkozások száma a Web of Science® -ben: 2 Idéző cikkek megtekintése a Web of Science® felületén

Actions (login required)

Tétel nézet Tétel nézet

Letöltések

Letöltések havi bontásban az elmúlt egy évben